Среда, 09.07.2025, 14:36
| RSS
[SEARCH_TITLE]
[SEARCH_FORM]
Главная | Datasheets
SILICON
Форма входа
Меню сайта

Категории раздела
A [12] B [18] C [12]
D [2] E [2] F [3]
G [2] H [14] I [22]
K [4] L [14] M [6]
N [6] O [3] P [3]
R [4] S [13] T [16]
U [3] 1 [22] 2 [26]
3 [11] 4 [19] 5 [11]
7 [17]

Поиск

Наш опрос
Что Вы чаще всего ищете в интернете?
Всего ответов: 72

Друзья сайта
  • one-click hosting
  • Заработай на своем сайте
  • Заработай на файлах
  • Аудиокниги
  • До 30$ за 1000 скачиваний
  • Всё для Вас

  • Статистика

    Онлайн всего: 1
    Гостей: 1
    Пользователей: 0

    Реклама

    Законы Мерфи
    Законы Мерфи

    Афоризмы
    Афоризмы

    Главная » Datasheets » I

    В категории Datasheets: 22
    Показано Datasheets: 21-22
    Страницы: « 1 2


    Сортировать по: Дате · Названию · Рейтингу · Комментариям · Просмотрам
    N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors designed for applications such as switching
    regulators, switchingconvertors, motordrivers, relaydrivers and drivers for high power bipolar switching transistors
    requiring high speed and low gate drive power.

    Формат: PDF
    Размер: 52 Kb

    I | Просмотров: 331 | Дата: 26.02.2010 | Комментарии (0)

    The IR2157 is a fully integrated, fully protected 600V ballast control IC designed to drive virtually all types of rapid start fluorescent lamp ballasts. Externally program mable features such as preheat time & frequency, ignition ramp characteristics, and running mode operating frequency provide a high degree of flexibility for the ballas design engineer.

    Формат: PDF
    Размер: 307 Kb

    I | Просмотров: 445 | Дата: 26.02.2010 | Комментарии (0)

    1-20 21-22

    Copyright MyCorp © 2025
    Создать бесплатный сайт с uCoz